3D NAND即三維閃存技術(shù)。過(guò)去的存儲(chǔ)芯片是平面的，我們可以把它想象為一個(gè)“地面停車(chē)場(chǎng)”。三維閃存芯片是立體的，更像是“立體停車(chē)場(chǎng)”。這意味著，同樣的“占地面積”，立體芯片能夠容納的數(shù)據(jù)量更多，可以達(dá)到驚人的1.33Tb。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司日前宣布，最新128層QLC 3D NAND閃存研發(fā)成功，這也是全球首款128層QLC閃存。目前，該閃存已通過(guò)多家知名控制器企業(yè)在固態(tài)硬盤(pán)等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上的驗(yàn)證。
3D NAND即三維閃存技術(shù)。“過(guò)去的存儲(chǔ)芯片是平面的，我們可以把它想象為一個(gè)‘地面停車(chē)場(chǎng)’。三維閃存芯片是立體的，更像是‘立體停車(chē)場(chǎng)’。這意味著，同樣的‘占地面積’，立體芯片能夠容納的數(shù)據(jù)量更多。”專(zhuān)家表示。
盡管這顆存儲(chǔ)芯片只有芝麻粒大小，卻內(nèi)藏乾坤。它擁有3665億個(gè)“細(xì)胞”——存儲(chǔ)單元。QLC是繼TLC后三維閃存新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量、高密度等特點(diǎn)。TLC的每個(gè)“存儲(chǔ)細(xì)胞”可存儲(chǔ)3bit數(shù)據(jù)，QLC的每個(gè)“細(xì)胞”能存儲(chǔ)4bit數(shù)據(jù)。這些“存儲(chǔ)細(xì)胞”加起來(lái)，能讓一顆芯片的存儲(chǔ)容量達(dá)到驚人的1.33TB，相當(dāng)于1362GB。
得益于“存儲(chǔ)細(xì)胞”不斷擴(kuò)容以及這些“細(xì)胞”之間獨(dú)特的Xtacking架構(gòu)布局，此次發(fā)布的128層閃存芯片“X2-6070”擁有業(yè)界最高的存儲(chǔ)密度、傳輸速度和單顆閃存芯片容量。
2018年底，長(zhǎng)江存儲(chǔ)第一代32層三維閃存芯片量產(chǎn)。2019年9月份，首次基于Xtacking架構(gòu)的64層三維閃存芯片量產(chǎn)。隨著自主Xtacking架構(gòu)全面升級(jí)至2.0，進(jìn)一步釋放了三維閃存的潛能，128層QLC閃存芯片才得以快速突破。
“從64層量產(chǎn)至128層研發(fā)成功，僅相隔了7個(gè)月，即便發(fā)生了疫情也沒(méi)有阻擋我們的研發(fā)腳步。”長(zhǎng)江存儲(chǔ)首席執(zhí)行官楊士寧表示，作為閃存行業(yè)的“新進(jìn)入者”，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年便將中國(guó)的三維存儲(chǔ)芯片推向了128層的新高度。“這是數(shù)千名研發(fā)人員智慧的結(jié)晶，也是全產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。”
閃存和固態(tài)硬盤(pán)領(lǐng)域市場(chǎng)研究公司認(rèn)為，QLC技術(shù)降低了NAND閃存單位字節(jié)的成本，更適合作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。128層QLC閃存將率先在大容量U盤(pán)、閃存卡和固態(tài)硬盤(pán)中普及，廣泛用于AI計(jì)算、機(jī)器學(xué)習(xí)、實(shí)時(shí)分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。
關(guān)鍵詞： 128層QLC存儲(chǔ)芯片 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
營(yíng)業(yè)執(zhí)照公示信息